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巨光微视科技(苏州)有限公司
主营：车规MOSFET,传感器,半导体
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| 价格： | 来电议定 |
新功率IGBT的报价取决于多个因素，包括您的需求量、型号和规格。我们提供多种不同类型的新性能IGBT模块供您选择：1200V/65AN-typeGaNFETwithCoolingandExhaustSystem（带散热系统和排气系统）、800v/37aHEMTpackageforhighpoweramplifier(HPA)（高功放管）、440V/9.9ASRF+SiCJBSmoduleinTO-247ACPackage等产品系列任君挑选。如果您需要了解更多关于我们的产品的信息或价格表，欢迎通过电子邮件联系我们来获取详细资料或者咨询在线客服人员以获得更详细的解答,谢谢！
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种复合型功率半导体器件，它结合了绝缘栅极和双极性晶体管的特性。其工作原理是当沟道调制电压施加到GTR上时会产生可变电阻值的大小从而改变电流的流通面积以达到控制输出电感的作用；同时会向外部供电电路提供磁通量以产生电磁场储存电能并传输给外负载设备使用达到节能效果的一种功能装置或元器件的开关特性和较高的热稳定性使其在电力电子行业中得到广泛应用主要应用于大中型电机、变频器及家用电器等领域被视为当前应用的超级可控整流管元件之一为整个工业领域提供了强有力的支持帮助人类社会实现了巨大的经济效益和社会效益
大电流IGBT的价格因品牌、型号和规格而异，一般在100元到5,883.47元的范围内。其中，德国英飞凌半导体有限公司（InfineonTechnologiesAG）的产品价格在2299-669美元的范围内；日本富士电机产品株式会社（FujiElectricCo.,Ltd。）的产品销售价为￥1.3折即¥15元左右。此外，购买数量也会影响终报价，如采购量越大往往能获得更好的优惠力度。以上信息仅作参考，具体配置和应用场景请咨询相关人士进行进一步了解
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第3年
