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苏州炫吉电子科技有限公司
主营：单片机,MOS,大电流mos
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下边是MOS无效的六大缘故：
1：山崩无效（工作电压无效），也就是人们常说的漏源间的BVdss工作电压超出MOSFET的额定电流，而且超出做到了一定的功能进而导致MOSFET无效。
2：SOA无效（电流量无效），既超过MOSFET安全工作区造成无效，分成Id超过器件规格型号无效及其Id过大，耗损过高器件长期热累积而导致的无效。
3：体二极管无效：在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中，因为体二极管遭到影响而导致的无效。
4：串联谐振无效：在串联应用的环节中，栅极及电源电路寄生参数导致波动造成的无效。
5：静电感应无效：在冬秋时节，因为身体及机器设备静电感应而导致的器件无效。
6：栅极工作电压无效：因为栅极遭到出现异常工作电压顶i峰，而导致栅极栅氧层无效。
公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。
在电源开关等供电系统设计方案中，方案设计人员会更多关注MOS管的多个主要参数，如通断电阻器、较大工作电压、较大电流量。这种要素虽然关键，考虑到不当之处会使电源电路没法正常的工作中，但其实这只完成了头一步，MOS管自身的寄生参数才算是危害电源电路的重要之处。
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用电源IC立即驱动MOS管
一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定：
（1）开关管启用瞬间，驱动电路应能输出非常大的电流，使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值，确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。
（2）电源开关通断期内，驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持，且有效通导。
（3）关闭一瞬间驱动电路，能供应一个尽量低阻抗的通道，供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流，确保开关管能迅速关闭。
（4）驱动电路构造简易靠谱、耗损小。
（5）依据具体情况开展防护。
在控制模块电源中，常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中，应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大，电源IC內部的驱动能力又不够时，必须在驱动电路上提高驱动能力，常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。
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第3年
