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一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)管,属于绝缘栅场效应管。
公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
我国是全世界极大的MOS器件市场,2020年,我国MOS器件市场规模约为187亿元,在全世界总市场中的占比达到45%。我国是全世界极大的智能手机、汽车生产国,5G技术处于全世界的头部位置,且新型电子产品不断问世,因此MOS器件市场前景好,且高的性能的产品需求不断上升。这些因素有利于我国围栅硅纳米线MOS器件行业发展。
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电动车的仪表盘能够显示电量、速率、里程数、显示灯情况等信息内容,一旦仪表盘发现异常或常见故障,轻则会危害客户的交通出行,重则也有有可能致使安全事故的产生,因此 电子电路设计技术工程师在设计方案电动车仪表盘的情况下,必须 综合考虑到仪表盘电源电路所采用的MOS管,MOS管的产品特性和质量,会直接影响到仪表盘的表明精度和质量。
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