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IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种电力电子器件,常用于交流电机、变频器和其他需要能电源控制的设备中。下面是一张1200VIGBT的图片:该图片显示了一个具有金属氧化物半导体场效应的I-P型MOSFET结构体和N沟道MOS体的结合部构成的三端元件体内有透明的硅芯片部件以及在左侧引出电极上接有小型的散热片状物体的一侧视图;在该图的下方部分还附带了按照箭头方向连接有一条红色的导线且连接到小型铝质基座上的黑色线夹作为外部信号输入端口以控制内部驱动IC进行开通关断动作的结构配置信息说明提示内容为“BlockDiagram”。
大电流IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种电力电子器件,广泛应用于新能源、轨道交通等领域。在设计和应用中需要满足以下要求:1.耐压要高且均匀分布以提高可靠性;200V~650v甚至更高;持续工作电压≥8伏或≤4伏(取决于型号)。3高温性能:IGBT的结温度应高于其额定的工作环境,一般允许达到一百二到一百度。④大功率输出能力:由于igbt是并联结构大于单个MOSFET,因此它具有更高的承受电源浪涌的能力。③强电学特征:(开关频率一般在几十kHz~几百kHz)⑤中等功耗(一般为数十瓦特至数百w)⑥低饱和漏源电量〈mΩ级〉⑦长寿命(<=1万h).⑧a-rate为97%以上.⑨正向阻断峰值电压<@kV级别⑩通态电阻很低<=mω级等。。其中参数包括高压特性、高温稳定性(THD)和负载驱动灵活性等方面的大电流集成化技术设计制造的全控型节能节容产品---
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